Micro LED降本增效，这张大饼如何圆？

　　谁在阻止“未来显示之王” Micro LED的登顶!答案是唯一和确定的!即价格成本。

　　据悉，以目前国内市场销售较为普遍，价格相对较低的百英寸级别Micro/Mini LED直显大屏或者会议一体机产品看，其均价是液晶百英寸显示产品的10倍。而以三星等溢价较高的高阶技术百英寸产品售价看Micro LED是液晶产品的30-50倍。

　　价格过高，显然超越了显示性能的提升。因此，更多的Micro LED一体机产品只能追求远超过液晶显示上限的应用尺寸，在150英寸以上市场开辟生存空间——但是，尺寸越大需求的市场规模和未来潜力也就越小。Micro LED必然“早晚要直面百英寸上下”的真正主流一体机应用场景，即直面液晶显示的“价格段位”竞争。

　　让成本下降，三星、友达画出大饼

　　推动成本下降、价格下降，Micro LED显示才能有更高的销量。据不完全数据显示，2022-2023两年，国内Micro LED一体机等产品销量不过万台左右(家用和商用总计);这与2024年预期75英寸及其以上尺寸液晶电视和液晶商显国内市场总销量超过1000万台的规模，存在巨大差异。

　　作为Micro LED彩电技术的核心领头羊之一，三星更是被媒体报道一年Micro LED彩电销量只有百台而已。

　　对于销量尚不足的原因，看看三星产品的价位就知道了：三星Micro LED电视已覆盖76英寸、89英寸、101英寸、110英寸、114英寸等多个尺寸，售价分别约人民币65万元、75万元、90万元、105万元、125万元——同期，最便宜的100英寸液晶电视售价只要8999元!

　　近日，媒体报道三星已经启动了Micro LED电视降本的项目，目标是在未来2-3年内将生产成本降至目前的1/10。这一目标将让三星目前的Micro LED彩电售价降低到5-10万元级别。其依然远高于同尺寸液晶电视机价格，却也可以与高端液晶电视“比较”。

　　作为三星Micro LED显示产品的重要上游合作伙伴，友达的表态更为激进。友达光电董事长彭双浪前不久前曾经在股东会中明确表示，当前友达在Micro LED降本方面发力，预期在5年后，Micro LED的成本将能够达到与OLED面板相同。如果友达是指5年后Micro LED的成本与同尺寸OLED今天的成本相当，从售价角度看，其价格可能只有今天同尺寸液晶电视的3-5倍。其目标比三星的降低价格成本90%，要更高。

　　对于Micro LED显示成本下降，好消息是目前的液晶显示产品已经处于“地板价”，几乎不具有价格进一步下滑的空间。即未来是，Micro LED降价、液晶价格稳定，甚至中小尺寸略微随着CPI等涨价的格局。这对于Micro LED持续拉近两者价差是很有利的。

　　控制成本，Micro LED关键要在“提效”上做文章

　　在Micro LED显示成本控制上，友达为何要与OLED比较呢?其重要一点是友达目前主要开发的和为三星提供的产品是基于与OLED显示类似的电流驱动AM TFT玻璃基板产品。即从基板角度看，这种Micro LED产品和OLED拥有几乎一致的产业链，未来必然也拥有一致的基板成本。而和LCD比较，后者则是电压驱动AM TFT基板(成本要更低一些)。

　　除了基板成本外，Micro LED晶体芯片和集成封装技术，是其独有的产业链环节，也是成本最高的两部分之一。基本可以认为，这两部分占据了目前Micro LED显示固有成本的七成乃至更高。

　　未来，随着LED发光效率的提升，Micro LED的切割尺寸可以进一步微缩。其线性尺寸降低50%，意味着单位的晶圆可产出的晶体颗粒增加75%。业内预计，Micro LED的晶体尺寸渴望从现阶段的34×58微米为主，往20×40微米甚至更小的15×30微米迈进。另一方面，目前主流的MIP封装Micro LED尺寸普遍在26×50微米左右，未来也有进一步微缩的空间。LG 2024年的新一代 136 英寸 MicroLED 显示屏采用的则是27微米×16微米的LED 芯片。从技术角度看，行业已经解决5微米左右尺寸LED晶体高效稳定工作的问题，相应和更小尺寸产品被应用在硅基Micro LED显示和AR产品上。

　　集成封装技术，是目前Micro LED大量应用最大的瓶颈。据媒体对部分智能手表用Micro LED显示屏分析表明，集成封装环节可能占据今天Micro LED显示产品四成以上的成本。

　　其中巨量转移技术的不成熟、效率和速度一般、良率低和废品率高、检测和修复工作量大，难度高，是Micro LED产品集成与封装的主要难点。可以说，进一步突破巨量转移的可靠性和效率是行业进一步发展的关键。这方面，Micro LED行业正在发展MIP技术为核心的新一代工艺路线：

　　即传统AM TFT、PM 玻璃基、PCB板的Micro LED封装，包括COB技术等，都是直接操作LED晶体。LED晶体尺寸过小、数量庞大、自身脆弱性，是导致巨量转移效率和可靠性问题的关键。MIP技术工艺，首先将LED晶体封装为尺寸更大，如200微米、400微米的RGB三芯灯珠，然后在进行巨量工艺的显示模组集成。在显示模组环节就不存在尺寸瓶颈、数量瓶颈也降低三分之二、灯珠集成体的坚固性也更高。

　　另外，MIP封装首先进行的RGB三芯集成灯珠封装，不需要修复工艺——因为单一产品最少只集成三个芯片，如果出现问题直接报废的材料成本影响有限。同时，三芯集成，也不需要大量LED晶体芯一次集成所需要的“6个9”良率，而只需要4-5个9的良率。对于MIP灯珠进一步集成为显示模组的过程，其巨量转移的难度下降、良率提升，可检测和修复性也大幅提升。且因为直接是RGB灯珠，工作量大量下降下也仅需要5个9的良率水平即可。

　　即MIP技术整体上将Micro LED的集成封装环节的难度，降低了1-2个数量级。这有助于产品批量生产、大量应用和成本下降。当然，MIP Micro LED技术路线也有其缺陷：首先是不适用于更小的高密度显示产品，目前量产的MIP灯珠最小尺寸是0202，最低只能兼容P0.3X级别像素间距的产品——不过，这也足以满足75英寸一体机等产品的4K显示需求。其次是，MIP降低了巨量转移难度(降低成本)，但增加了产业链环节(增加成本)，两者对成本的影响如何平衡，需要大规模实践才能最终明确。市场方面，业内有人士预计国内市场MIP技术Micro LED显示2024年出货量可同比增长5倍左右。

　　此外，对于Micro LED显示，特别是4K级别的显示，驱动芯片成本也不容忽视。因为清晰度越高、像素越多，驱动芯片的压力也越大：或者一块Micro LED大屏用更多的驱动芯片，或者驱动芯片单颗芯的驱动能力大幅增加——例如将通道数量从12提升到48。

　　驱动方案上，除了PM驱动、AM驱动技术路线之外，行业也在发展RGB Micro LED发光芯片和一颗驱动芯片(Micro IC)集成为一颗像素器件的技术(即光驱一体架构)。驱动芯片制造的工艺，也在向100纳米，甚至更低的纳米数级别前进，封装结构从数百微米向数十微米进步，这样能提升单位晶圆产出数量。此外，驱动芯片的坏点隔离功能也将是未来Micro LED显示的标配之一。

　　对于Micro LED显示的成本控制，背板、LED晶体、驱动芯片和集成封装技术之外，规模是另一个重要因素：降低成本是为了提升规模，提升规模则有利于成本的进一步降低。首先是前期研发和产线建设费用的均摊问题;其次是更高的行业规模有助于充分竞争和加速工艺、设备、技术的研发迭代。而在产业现有的从设备、材料、研发创新到产能的投资规模看，我国大陆地区占据全球市场绝对优势，如果加上我国台湾地区的投入，基本上Micro LED显示产业链目前处于我国企优势主导格局之下。且在过去5年，仅我国大陆地区就积累近2000亿元的在投入、已建成和规划Micro LED相关项目。

　　Micro LED显示产业正在跨越从有无到更好的历史阶段

　　三星开始主动高喊降价，降幅目标是90%，那么现在的高价产品岂不是“一点都不保值了吗”?业内人士对此表示，三星能够如此的行动，一方面说明Micro LED降本增效的迫切性，另一方面也说明三星“心理有些底气”——即产业已经到了要解决成本问题的新阶段。

　　行业预计，未来三年将是Micro LED从“技术理论为主导”的解决有无，到工程和市场实践主导的“解决好用和落地”问题的关键期。也是产业链爆发的第一轮“巨浪”期。相应行业企业应当做好“激情冲浪”的准备。