三星携手美企SiliconFrontlineTechnology改善3纳米良率,希望赶超台积电

IT之家 故渊 2022-11-19 18:27

    援引韩媒Naver报道,三星已经与美国的SiliconFrontlineTechnology公司合作,以提高其半导体芯片在生产过程中的良率,以便于在3纳米工艺上赶超台积电。



    报道中称,三星电子先进制程良率非常低,自5纳米制程开始一直存在良率问题,在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕。据传三星3纳米解决方案制程自量产以来,良率不超过20%,量产进度陷入瓶颈。


    三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的问题,该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上。因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作,帮助三星晶圆厂进行前端(front-end)工艺和芯片性能改进。


    IT之家了解到,这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD(静电放电)预防技术。ESD是造成半导体芯片缺陷的主要原因之一,是由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的。据报道,三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间,并取得了令人满意的结果。该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的技术。


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